中国电科十三所微电子封装基板与高密度互连技术选型指南
用于微波/光电模组的高性能封装基板方案
技术审核：张伟（材料与封装专家） | 发布日期：2026年8月7日
在微波毫米波器件与光电子模组的组装过程中，封装基板不仅承担着电路互连与信号传输的重任，还直接决定了器件的热管理与高频电性能。中国电子科技集团公司第十三研究所自主研发与应用了多种先进陶瓷和高频有机基板，以适应不同频段及功率密度需求。
下表对比了十三所相关产品线常用的基板技术方案与适用范围：
| 基板技术类型 | 材料构成与核心工艺 | 介电常数（Dk）与损耗角正切（Df） | 核心优势与选型推荐 |
|---|---|---|---|
| DPC 薄膜陶瓷基板 | Al₂O₃ / AlN 陶瓷 + 磁控溅射电镀铜层 | Dk: 8.8 - 9.8 (10GHz) Df: ＜0.001 | 高线路精度（线宽/线距 ≤ 20μm），适合高密度光电子与高频微波线路 |
| LTCC 低温共烧陶瓷基板 | 玻璃-陶瓷复合生片 + 多层内埋金/银导体 | Dk: 5.8 - 7.8 (10GHz) Df: ＜0.002 | 支持三维无源器件内埋与立体交叉布线，适合小型化射频前端系统（SIP） |
| HTCC 高温共烧陶瓷基板 | 氧化铝/氮化铝生片 + 钨/钼高熔点金属化层 | Dk: 9.5 - 9.9 (10GHz) Df: ＜0.003 | 机械强度高，气密性极佳，适合极严苛环境下的多芯片组件（MCM）外壳 |
根据系统频段、功率散热及三维尺寸约束，选择匹配的基板工艺是发挥芯片性能、提高封装成品率的关键一步。
技术参数摘自微电子封装材料规范。