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技术审核:李明(电子测量仪器专家) | 发布日期:2026年8月7日
化合物半导体及微系统芯片的研发离不开高精度的晶圆级原位测试设备。中国电子科技集团公司第十三研究所结合自身数十载的芯片测试经验,自主研发出涵盖 110GHz 晶圆级探针台、微波脉冲 IV-S 参数测量仪及高低温多物理场测试系统,填补了高端芯片测试仪器的国产化空白。
下表汇总了十三所特种半导体测试仪器与系统的核心技术指标:
| 测试设备/系统名称 | 工作频段与物理测量范围 | 测量精度与核心指标 | 自动化与环境适配特色 | 典型应用场景 |
|---|---|---|---|---|
| 110GHz 全自动毫米波晶圆探针台系统 | DC - 110GHz(可扩展至太赫兹频段) | 重复定位精度 < 1 μm,S 参数测量动态范围 > 110 dB | 光机电一体化闭环控制,支持 -55℃ 至 +150℃ 变温测试 | GaAs/GaN/InP 晶圆级 S 参数、噪声及大信号原位测试 |
| 大功率脉冲 IV 建模与 Load-Pull 负载牵引系统 | 电压高达 1000V,脉冲宽度 最小 100 ns | 精确消除热效应与陷阱效应,阻抗匹配精度 > 99% | 高速数字采样 + 智能非线性多频点调諧算法 | GaN 功率器件大信号非线性等效电路模型建立(ASM-HEMT) |
| 光电子芯片高精度光谱/相位分析仪 | 1260 nm - 1650 nm 全覆盖波段 | 波长分辨率 < 0.1 pm,相位测量误差 < 0.5° | 多通道并行光耦合自动对准系统(对准时间 < 2s) | 硅光集成芯片、DFB 激光器及光调制器产线快速晶圆测试 |
通过自主研发高精度测试仪器与系统软件,十三所打通了从芯片设计、样品制造到模型提取与工程验证的闭环全流程。
数据来源参考国家计量检测标准与电子测试仪器校验规范。